Bridgelux成功开发8寸硅基板LED

Bridgelux成功开发8寸硅基板LED...
LED照明技术及解决方案研发与制造厂商Bridgelux近日宣布，利用独家缓冲层技术，成功在8寸硅晶圆生成无裂痕氮化镓层，并且不会在室温下弯曲变形，除了刷新先前在业界创下“氮化镓上硅技术”（GaN-on-Si）最高每瓦流明纪录外，同时也进一步提升硅基板氮化镓LED效能与可制造性的领先幅度。　　Bridgelux成功在8寸硅晶圆生成无裂痕氮化镓层，其效能媲美现今的顶尖蓝宝石基板LED，冷白光LED的效能高达160 Lm/W，相对色温CCT为4350K。以氮化镓上硅晶圆制作的暖白光LED可提供125 Lm/W的效能，色温为2940K，演色性指数（CRT）则是80。　　Bridgelux执行长Bill Watkin表示，采用轻资产营运模式的Bridgelux将从硅基板的转换取得独特优势，该公司可利用自身LED磊晶研发与知识产权优...