NS推出业界首款100V半桥栅极驱动器

NS推出业界首款100V半桥栅极驱动器...
　　美国国度半导体公司(National Semiconductor Corp.)(美国纽约证券买卖所上市代码：NSM)今天宣布，推出业界首款针对高压电源转换器的加强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器。美国国度半导体新推出的LM5113是一款高度集成的高边和低边GaN FET驱动器，与运用分立驱动器的设计相比，其可减少75%的组件数量，并还能减少多达85%的印刷电路板(PCB)面积。 　　砖式电源模块和通讯根底设备设备的设计人员需求以最小的外形尺寸完成更高的成效。与规范金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比，由于具有较低的导通电阻(Rdson)、栅极电荷(Qg)以及超小的体积，加强型GaN FET能够完成更高的效率和功率密度，但是要牢靠地驱动这类器件也面临着新的严重应战。美国国度半导体的LM5113驱动集成电路化解了这些应战，使电源设计人员可以在各种盛行的电源拓扑构造中发挥GaN FET的优势。 　　为了满足加强型GaN FET严厉的栅极驱动请求，我们需求多个分立器件和大量的电路以及PCB设计工作。美国国度半导体的LM5113完整集成的加强型GaN FET驱动器大大减少了电路的数量和PCB的设计...